洋葱小说

第367章 MOS（第1页）

　　1274厂的集成电路工艺，还是走的58年提出的PN结隔离的双极型半导体的路子，这也是1274厂自身能力的极限，甚至都已经有点超出了极限了。

　　这就让高振东陷入了纠结，是继续让1274厂走双极型半导体，还是干脆直接上MOS技术？

　　所以即使集成电路在这个阶段有超小型组装、膜集成电路等其他路线，高振东也没有考虑这些路线，这些路线有其特殊用途，并不是没有前途，可是在计算机这个方向上，它们在可以预见的时间段内，没有任何前途。

　　再说了，双极型的元件精度高，也只是相对MOS来说的，真实差距甚至连五十步笑百步都算不上。

　　要说在集成电路设计阶段成本低，在这個阶段就是个伪命题，人力成本在这时候不怎么算的。

　　Intel4004，10μm的PMOS。

　　8008，10μm的PMOS。

　　首个4Kbit的DRAM，8μm的NMOS。

　　首个16Kbit的DRAM，5μm的NMOS。

　　大名鼎鼎的80868088，3μm的NMOS。

　　彻底巩固了Intel数十年基业的80286，1。5μm的CMOS。

　　至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了MOS技术，那就不得不说MOS的优点了。

　　这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！

　　抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以PMOS和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。

　　PMOS外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。

　　而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。

　　工序更少、工艺更简单、良品率更高

　　对于量产来说，这些特么可都是钱呐！

　　而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。

　　两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的MOS甚至要比双极型要低。

　　MOS技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。

　　在同代次内，更改MOS电路的设计，对于MOS的工艺没有任何影响，MOS电路的性能的改变，是通过改变MOS场效应管的几何设计来实现的。

　　双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是MOS电路就不，它的工艺是不变的。

　　而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了MOS集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。

　　除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、超大规模集成电路上走不远。

　　——它做不小！但是MOS可以！

　　这个情况的原因很多。