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第376章 PMOS（第2页）

　　“高总工，你是说这个技术，只要这么几次光刻，几十步工序，就能完成双极型半导体要一百多步工序才能完成完成的事情？”

　　高振东笑道：“技术的发展其实本来就是这样的，先进不等于复杂，有的先进技术可以简单到我们难以想象。”

　　甚至看起来还超级土鳖，高振东心想。

　　对于高振东，他们两人还是很相信的，这位说的话，基本上还从来没有落空过。

　　“高总工，这太好了，我们需要做什么？”

　　高振东道：“我看现在厂里的情况，是有扩散炉的对吧？”

　　吕厂长点点头：“是的，这是我们基础生产设备之一，很多。”

　　“那最高的温控精度有多高？到得了正负1摄氏度不？”高振东问道，这个精度涉及到扩散掺杂效果。

　　这个鲁总工清楚：“这个到不了，有点差距，主要是传感器问题。”

　　现在他们用的K型热电偶，测温范围没有问题，但是精度就差不少了，2。5摄氏度或者千分之7。5，对于这个精度要求差了老远。

　　高振东想了想，没有推荐B型热电偶，B型的千分之2。5的误差也差点意思，而且反应速度慢。

　　“加一个铂电阻吧，间接测量，作为辅助传感器，配合K型热电偶，加上DJS-60D跑PID控制算法，应该是能控制得住的。”

　　铂电阻反应速度也慢，不过这个可以算法手段加以某种程度上的解决，铂电阻精度就远超需求了，最好的可以到千分之三摄氏度。

　　铂电阻最大的问题还是测温范围问题，半导体生产中需要用到1000摄氏度以上的范围，是超过铂电阻的测温范围的，不过间接测量设计得好的话，问题不大。

　　所以高振东拿出了铂电阻间接测量+K型热电偶直接测量的办法，一个测得准，一个测得快，双剑合璧，天下无敌。

　　他不知道日后的扩散炉是怎么解决这个问题的，反正在他这里，他就这么解决。

　　之所以这个扩散炉这么重要，主要是很多工序都靠这个。

　　氧化、淀积、扩散、扩散-氧化，这些都靠这玩意了。

　　扩散-氧化本来还有一种工艺的，但是高振东没有选，因为选择那种工艺会多出来一种叫做外延反应系统的设备，那就麻烦了。

　　所以高振东选择的还是能靠扩散炉完成“热氧化法”。

　　高振东想了想，又给了一笔支持：“到时候我这边支持你们一些专门搞计算机控制和热电偶应用的技术人员，负责配合你们搞这个事情。”

　　鲁总工他们这下放下了心，高总工这里的精兵强将亲自支援，那就好办多了。

　　高振东也很开心，PMOS技术芯片制造阶段的三大核心设备，一个光刻机，一个扩散炉都有了，就剩下一个了。

　　“吕厂长，真空蒸镀设备现在是个什么情况？”在1274厂的现状上面没有发现这东西，情况可能不容乐观。

　　吕厂长摇摇头：“没有，以前我们都用不上这个。”

　　真空蒸镀，在真空条件下蒸发金属，在工件表面形成金属镀层的设备，在芯片制造业，它的升级版是溅射设备。

　　不过溅射设备是用于钽、铌等金属的，它们的溅射特性好，而芯片内布线大量使用的铝就不同了，一直是蒸发。

　　不过蒸发也有几种，有电阻加热的，直接用钨等金属电阻材料加热高纯铝，形成金属蒸气，完成蒸镀。